马佐平

1949年，四岁时随父母到了台湾。

1968年，从台湾大学电机系毕业，此后赴美国留学。

1971年，从美国耶鲁大学毕业，获得硕士学位。

1974年，从美国耶鲁大学毕业，获得博士学位。

1974年—1975年，担任国际商业机器公司（IBM）系统产品部高级副工程师。

1975年—1977年，担任IBM系统产品部正工程师。

1977年—1985年，担任耶鲁大学电机系及应用物理系副教授。

1983年，担任美国加州大学柏克莱分校访问员。

1985年，晋升为教授。

1988年—1991年，担任耶鲁大学电机系代理系主任。

1991年—1995年，担任耶鲁大学电机系主任。

1994年，入选IEEE Fellow。

1999年—2016年，担任耶鲁大学电机系微电子中心共同主任。

2000年—2007年，担任耶鲁大学电机系主任。

2002年7月，担任耶鲁大学Raymond John Wean讲座教授。

2003年，当选为美国国家工程院院士。

2005年—2014年，担任北京大学—耶鲁大学微电子及纳米技术联合研究中心共同主任。

2009年，当选为中国科学院外籍院士。

2012年，当选为第29届中国台湾“中央研究院”院士。

2021年5月，在美国因病去世，享年77岁。

马佐平对金属/氧化物/半导体（MOS）的科学认知及技术发展，尤其是在MOS栅介质 （包括高介电常数的栅介质）的科技领域做出重要贡献。（中国科学院评）

马佐平专注于科学研究并取得卓越成就，他对科学的贡献享誉全世界！（中共东阳市委统战部、东阳市乡贤联谊总会评）