梁孟松
人物经历
早年经历
梁孟松出生于1952年，先是在国立成功大学电机工程学系取得学士与硕士学位，后于加州大学柏克莱分校师从胡正明教授。梁孟松的学术生涯一帆风顺，先后获得电子工程博士学位、当选电气电子工程师学会院士，受专业的影响，梁孟松从事于超微半导体负责记忆体相关工作。
主要经历
1992年，梁孟松担任台积电工程师、资深研发处长，是台积电近500个专利的发明人。
2003年，梁孟松助力台积电在130纳米制程工艺中击败。
2009年，梁孟松离开台积电，加入韩国三星进行芯片研发，并带领团队让三星在14nm芯片技术上一度超过台积电。并成功从台积电手中抢下苹果A9处理器和高通的订单，让台积电股价大跌。
2010年10月，梁孟松在韩国成均馆大学担任访问教授，并于2011年7月正式加入三星集团，担任三星LSI部门技术长及三星晶圆代工执行副总。
2011年底，台积电以泄露公司机密为由对梁孟松发起诉讼，最终梁孟松败诉，并被要求在2015年12月31日之前不得任职或以其他方式继续为三星提供任何服务。
2017年10月16日，梁孟松获委任为联合首席执行官兼执行董事
2020年2月，梁孟松在会议中介绍，来自14nm的营收将稳步上升，产能随着中芯南方12英寸厂的产能爬坡而增长。
2020年12月，梁孟松请辞。中芯国际执行董事兼联合首席执行官梁孟松博士为了专注于履行其作为公司联合首席执行官的职责，辞任执行董事职务，自2021年11月11日起生效。
2021年11月11日，梁孟松不再担任执行董事，继续担任中芯国际联合首席执行官。
主要贡献
中芯国际
2016年2月份，中芯国际就宣布28纳米工艺进入设计定案阶段（tape-out），但良品率一直不稳定。梁孟松来到中芯国际后，在其率领团队的努力下，用了不到一年时间就将中芯国际28纳米工艺良品率提升至85%以上。
不过，同年2月，联芯集成电路制造（厦门）有限公司试产28纳米，其良品率高达98%。而台积电南京厂也于2018年量产16纳米制程。因此，中芯国际在28纳米领域并没有足够大的优势。
有鉴于此，梁孟松在研发上采取了跳代的方式。梁孟松到来之前，中芯国际（与台积电、三星）的差距是逐年拉大的。他到来之后，中芯国际的研发采取了跳代的方式，直接跳到14nm，之后继续向N+1、N+2发展。
发明专利
集成电路结构的形成方法：CN201310390288.3
集成电路与其形成方法与电子组件专利号：CN200410042978.0
所获荣誉
2021年，中国最佳CEO榜排名第28位。