杨洪强

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杨洪强先生,1974年生,中国国籍,无境外居留权,电子科技大学微电子专业博士,承担了多项省科技厅、国家863等研究课题,对新型功率器件结构COOLMO
简介
杨洪强先生,1974年生,中国国籍,无境外居留权,电子科技大学微电子专业博士,承担了多项省科技厅、国家863等研究课题,对新型功率器件结构COOLMOS(美国、中国专利)/VLD(中国专利)等进行理论研究和专利申报,对ElectricalBallast/ActivePowerFactorCorrection/变频调速等SmartPowerIC进行产品开发;在成都振芯科技股份有限公司进行博士后研究期... 更多
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